메모리 빅2, 1분기도 어닝서프라이즈 예고...사업 재편 박차

(위로부터) 전영현 삼성전자 부회장, 곽노정 SK하이닉스 사장 [사진: Arm]

[디지털투데이 석대건 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 1분기도 시장 기대치를 웃도는 실적을 거둘 것으로 전망되는 가운데, 양사가 각자의 방식으로 다음 성장 레버를 당기고 있다. 메모리 초호황을 발판 삼아 사업 구조 자체를 바꾸려는 행보다.

미래에셋증권은 삼성전자의 1분기 영업이익을 41조3000억원(QoQ +105.9%)으로 추정했다. 키움증권은 43조원(QoQ +115%), 아이엠증권은 45조3000억원(QoQ +126%)으로 각각 내다봤다. 시장 컨센서스를 최대 15% 가량 웃도는 수치다. SK하이닉스는 하나증권 기준 영업이익 36조9000억원(QoQ +92%), 아이엠증권 기준 39조4000억원(QoQ +105%)으로 추정됐다. 디램(DRAM) ASP가 전분기 대비 62~71%, 낸드(NAND) ASP가 53~80% 급등한 것이 실적 서프라이즈의 핵심 동인으로 꼽힌다.

삼성전자는 이번 1분기에 메모리를 넘어선 사업 재편의 신호탄을 쐈다. 엔비디아 GTC 2026에서 그로크(Groq) LPU 양산이 삼성전자 4나노 파운드리에서 진행될 것임이 공식 확인됐다. 3분기 출하 예정으로, 지난해 테슬라향 AI 가속기 수주에 이은 두 번째 빅테크 고객이다. 미래에셋증권은 파운드리 부문이 현재 1조원대 적자를 기록 중이나, 신규 고객 및 제품 수주 확대로 하반기 흑자 전환 가시성이 높아지고 있다고 분석했다.

HBM4 경쟁력도 구체화됐다. 삼성전자는 ISSCC 2026에서 HBM4의 핀당 속도를 최대 13Gb/s까지 구현했다고 밝혔다. 4나노 핀펫(FinFET) 기반 로직 다이를 적용한 결과로, 메모리와 파운드리의 시너지가 본격화되는 사례라는 평가다.

아울러 4F2 구조를 HCB(하이브리드 구리 본딩) 기반 W2W 본딩으로 실증하며 선단 패키징까지 포괄하는 풀스택 제조사로서의 입지를 굳힌다. 키움증권은 HBM4에서 기술 경쟁력 우위를 점한 삼성전자에게 HBM 시장 점유율 확대의 기회 요인이 될 것이라고 밝혔다.

(왼쪽부터) 최태원 SK그룹 회장과 이재용 삼성전자 회장. 각각 최태원 회장은 SK하이닉스 이천캠퍼스 HBM 생산라인 현장을, 이재용 회장은 삼성전자 기흥캠퍼스 내 첨단 복합 반도체 연구개발(R&D) 센터인 NRD-K 클린룸 시설을 살펴보고 있다. [사진: SK하이닉스, 삼성전자]

◆메모리 가격 급등기 삼성·하이닉스, 서로 다른 미래 준비

SK하이닉스는 밸류에이션 재평가 기반을 다지는 방향을 택했다. 지난달 SK하이닉스는 미국 SEC에 ADR 상장을 위한 신청서를 비공개로 제출했다. 하나증권은 글로벌 빅테크 업체들이 상장된 미국 증시에서 기업 가치를 재평가받기 위한 전략으로 분석했다.

여기에 고객사와 장기 공급 계약 협의도 진행 중이다. 과거와 달리 선수금·위약금 등 구속력을 강화하는 조건이 언급되고 있는 것으로 파악된다. 하나증권은 구속력을 갖춘 장기 공급 계약이 메모리 산업의 변동성을 축소시킬 수 있다는 측면에서 멀티플 상향의 근거가 될 것으로 기대했다.

메모리 초호황기에 삼성전자는 파운드리와 HBM4를 연결하는 풀스택 구조로, SK하이닉스는 ADR 상장과 장기계약 구속력 강화로 각각 다음 모멘텀을 위한 준비를 하고 있다. 2분기 이후 메모리 가격 협상과 파운드리 수주 확대 여부가 양사의 구조적 전환 속도를 가를 분수령이 될 전망이다.