어플라이드머티어리얼즈·SK하이닉스, 차세대 D램·HBM 공동 개발

(왼쪽부터) 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장, 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장 [사진: 어플라이드 머티어리얼즈]

[디지털투데이 석대건 기자] 어플라이드머티어리얼즈와 SK하이닉스가 차세대 D램·HBM 개발을 위한 장기 R&D 파트너십을 체결했다. 양사는 11일 AI 및 고성능 컴퓨팅용 메모리 기술 개발을 위한 포괄적 기술 개발 계약을 맺었다고 밝혔다.

이번 협력을 통해 실리콘밸리 소재 어플라이드 EPIC(장비·공정 혁신 및 상용화) 센터를 올해 구축하고 가동한다. SK하이닉스는 이 센터의 창립 파트너로 합류하며, 양사 엔지니어들은 현지에서 직접 협업을 진행한다는 계획이다.

초기 공동 혁신 프로그램은 신소재 탐색, 복합 공정 통합, HBM급 첨단 패키징 구현에 집중한다. 메모리 아키텍처가 현행 양산 공정을 넘어 차세대 노드로 전환되는 과정에서 재료 혁신, 공정 통합, 3D 첨단 패키징 전반의 기술 과제를 함께 풀어나갈 계획이다. SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 어플라이드의 첨단 패키징 R&D 역량도 활용해 이종 집적(Heterogeneous integration) 분야 대응에도 나선다.

이번 협력은 EPIC 센터의 '고속 공동 혁신' 모델을 토대로 한다. 칩 제조사들은 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 초기 단계부터 접근해 빠른 학습 주기를 확보하고 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. 이에 대해 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 "어플라이드머티어리얼즈와의 공동 혁신 프로그램은 디바이스 엔지니어링과 첨단 패키징 전반에 걸쳐 신소재, 공정 통합, 열 관리 기술에 초점을 맞출 계획"이라며 "EPIC 센터에서 어플라이드 엔지니어들과 작업함으로써 더 빠른 학습 주기와 양산 수준의 기술 검증을 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것"이라고 설명했다.

EPIC 센터는 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자로, 고객 프로젝트 개시에 따라 점진적으로 50억 달러 규모까지 확대될 예정이다. 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 기술 상용화 기간을 단축하도록 설계됐으며, 올해 정식 가동을 앞두고 업계 주요 기업들의 참여가 이어지고 있다.

게리 디커슨 어플라이드머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "어플라이드머티어리얼즈와 SK하이닉스는 재료공학 혁신을 통해 첨단 메모리 칩의 에너지 효율 성능을 개선해 온 오랜 협력의 역사를 공유하고 있다"며 "SK하이닉스를 EPIC 센터의 창립 파트너로 맞이하게 되어 기쁘며, AI 시대를 위한 차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다"고 밝혔다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 "AI 시스템의 지속적인 확장은 에너지 효율적인 메모리 기술에 대한 전례 없는 수요를 만들어내고 있다"며 "AI 발전의 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점"이라고 밝혔다.

이어 "이러한 한계를 극복하기 위해 SK하이닉스의 첨단 메모리 기술은 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 가능하게 하고 있으며, 새로운 EPIC 센터에서 어플라이드머티어리얼즈와의 협력을 통해 AI에 최적화된 차세대 메모리 솔루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있기를 기대한다"고 덧붙였다.