DB하이텍, GaN 전용 MPW 10월 제공…전기차·데이터센터 수요 대응
||2025.09.18
[잡포스트] 이숙희 기자 = DB하이텍이 차세대 전력반도체 시장을 겨냥한 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 완료했다.
회사는 오는 10월 말부터 고객이 시험 생산할 수 있도록 GaN 전용 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW)를 제공한다고 지난 11일 밝혔다.
GaN 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 대비 고전압, 고주파, 고온 환경에 강하며 전력 효율이 높은 것으로 알려져 있다. 전기차, AI 데이터센터, 고속 충전기, 5G 통신, 로봇 등 고성장 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. 시장조사기관 욜디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 GaN 시장은 올해 5억3천만 달러에서 2029년 20억1천300만 달러로 연평균 약 40%의 성장이 예상된다.
DB하이텍이 개발한 650V GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 특징으로, 전기차 충전기와 데이터센터 전력변환기, 5G 통신 장비 등에서 활용도가 높다. 회사는 2022년부터 GaN과 SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 지정해 연구개발을 이어왔다.
DB하이텍 관계자는 “세계 최초로 0.18㎛ BCDMOS 공정을 개발한 기술력을 바탕으로 GaN 공정을 추가 확보해 글로벌 전력반도체 파운드리 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 말했다.
또한 DB하이텍은 충북 음성 상우캠퍼스에 클린룸 확장을 추진 중이다. 신규 클린룸이 완공되면 월 3만5천 장 규모의 8인치 웨이퍼를 추가 생산할 수 있어, 현재 월 15만4천 장 수준인 생산능력이 19만 장으로 약 23% 확대된다. 여기서는 GaN뿐만 아니라 BCDMOS, SiC 제품도 함께 생산될 예정이다.
향후 DB하이텍은 200V 및 650V GaN 공정을 2026년까지 순차적으로 개발하고, 시장 상황과 고객 수요에 맞춰 더 높은 전압대까지 확대할 계획이다. 또한 지난 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 열리는 국제탄화규소학술대회(ICSCRM 2025)에 참가해 SiC, GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술을 선보일 예정이다.
